סמסונג חושפת זיכרון חדש שעשוי להאיץ מערכות בינה מלאכותית פי 8

סמסונג חשפה דור חדש של טכנולוגיות זיכרון המיועדות למרכזי נתונים ולמערכות בינה מלאכותית, ובהן ארכיטקטורה שמציבה את רכיבי הזיכרון ישירות מעל מעבד ההאצה. החברה טוענת כי המבנה החדש עשוי לספק ביצועים הגבוהים פי 8 מאלה הצפויים בזיכרונות HBM5.

הטכנולוגיה, שנקראת zHBM, הוצגה בוועידת FMS 2026 בקליפורניה. במערכות הקיימות רכיבי הזיכרון ממוקמים בדרך כלל לצד המעבד, ואילו בתכנון החדש הם נערמים מעליו. קיצור המרחק שבו הנתונים נדרשים לעבור אמור לשפר את רוחב הפס, להפחית את צריכת החשמל ולאפשר עיבוד מהיר יותר של מודלים גדולים.

לפי Samsung, השימוש בטכנולוגיות חיבור מתקדמות בין פרוסות הסיליקון עשוי להגדיל את צפיפות הזיכרון ביותר מפי 10 לעומת HBM5. החברה מעריכה גם שיפור של פי 3 ביעילות האנרגטית והפחתה של יותר ממחצית בהתנגדות התרמית, נתון משמעותי במערכות שבהן החום מגביל את הביצועים.

Samsung הציגה גם את zNAND O, פתרון אחסון מהיר שמיועד למערכות בינה מלאכותית הפועלות בזמן אמת. הטכנולוגיה נמצאת בפיתוח בגרסאות בעלות 4 ו 8 שכבות ומתוכננת לספק זמני תגובה קצרים יותר במכשירי קצה, שרתים ומערכות המעבדות כמויות גדולות של מידע.

חידוש נוסף הוא V10 BV NAND, זיכרון המבוסס על יותר מ 400 שכבות. לדברי החברה, טכנולוגיית ההדבקה החדשה הגדילה את צפיפות האחסון בכ 58 אחוזים לעומת הדור הקודם, לצד שיפור במהירות הקריאה, הכתיבה והעברת המידע.

החברה הציגה גם את מפת הדרכים שלה לזיכרונות HBM4E ו HBM5, פתרונות אחסון למרכזי נתונים וזיכרון שמסוגל לבצע חלק מפעולות העיבוד בתוך הרכיב עצמו. המטרה היא להפחית את העומס הנוצר כאשר מידע מועבר שוב ושוב בין המעבד לזיכרון.

בשלב זה מדובר בחלקו בדגמי קונספט ובטכנולוגיות שעדיין נמצאות בפיתוח, ולא במוצרים שניתן לרכוש. Samsung לא פרסמה מועד לייצור מסחרי של zHBM או zNAND O. ההשפעה על טלפונים ומחשבים אישיים אינה מיידית, אך הטכנולוגיות עשויות להשפיע בעתיד על העלות, המהירות וצריכת החשמל של שירותי בינה מלאכותית.